-將供應採用第二代19納米工藝技術打造的全球最小的64吉比特NAND存儲晶片-
東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業(yè)資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今日宣佈，該公司已經(jīng)開發(fā)出第二代19納米工藝技術，該技術將於本月晚些時候用於量產(chǎn)每單元2比特的64吉比特NAND存儲晶片。
東芝已經(jīng)使用該新一代技術開發(fā)出全球最小的*每單元2比特的64吉比特NAND存儲晶片，晶片面積只有94平方毫米。新一代晶片採用了獨特的高速寫入方法，寫入速度可高達25百萬位元組/秒—是全球速度最快的*每單元2比特晶片。
東芝還在利用該工藝技術開發(fā)每單元3比特晶片，並計畫在本財年第二季度投入量產(chǎn)。該公司最初將通過開發(fā)一種與eMMC相容的控制器，為智慧手機和平板電腦推出3比特的多級單元產(chǎn)品，隨後會通過開發(fā)與固態(tài)硬碟(SSD)相容的控制器，將產(chǎn)品的應用範圍擴大到筆記型電腦領域。
NAND快閃記憶體是存儲卡、智慧手機、平板電腦和筆記型電腦等多元化消費品系列的基本構(gòu)成元素，並越來越多地被部署到企業(yè)產(chǎn)品中，包括資料中心的固態(tài)硬碟。展望未來，東芝將繼續(xù)推進產(chǎn)品創(chuàng)新與開發(fā)，成為市場中一家能夠應對各種客戶需求的領先公司。
*資料來源：東芝。截至2013年5月21日。